G60N100BNTD FGL60N100BNTD G60N100 60A 1000V 오리지널 고출력 IGBT 트랜지스터 G60N100
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주요 속성
핵심 산업 사양
모델 번호
G60N100BNTD
유형
Transistor
유명 상표
Toshiba
포장 유형
표면 마운트
기타 속성
장착 유형
NPN
설명
npn transistor
원래 장소
Janpan
패키지/케이스
TO-247
유형
NPN transistor
시리즈
Original Brand
D/ C
Newest
신청
범용
공급 유형
원래 제조업체, ODM, 기관, 소매점, Other
미디어 가능
데이터 시트, 사진
品名
original transistor
전류 콜렉터 (Ic) (최대)
80V
전압 콜렉터 이미 터 고장 (최대)
80V
전류 콜렉터 컷오프 (최대)
220A
전원 최대
150W
마운트 유형
General
드레인 근원 전압 (Vdss)
230V
현재 등급 (암페어)
15A
전원 출력
150W
전압-정격
230V
IGBT 유형
NPN
전압
230V
전류-피크
15A
응용프로그램
General
트랜지스터 유형
NPN transistor
D/C
Newest
Quality
High-quality
LEAD TIME
1-2 Days
Payment
Paypal\TT\Western Union\Trade Assurance
Shipping BY
DHL\UPS\Fedex\EMS\HK Post\More
Supplier
Original
MOQ
10 Pcs
Brand
Original Toshiba
포장 및 배송
판매 단위:
단일 품목
단일 패키지 크기:
2X5X0.5 cm
단일 총 중량:
0.015 kg
리드 타임
공급업체의 제품 설명
경고/면책 조항
캘리포니아 제안 65 소비자 경고더 보기
1 - 9 개
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10 - 499 개
₩660
>= 500 개
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